Додати оголошення
Головна  >  Товари  >  Електроніка та техніка  >  Радіокомпоненти та комплектуючі  >  ГТ806Д биполярный транзистор (1 шт- 15 грн) 20 шт.

   ГТ806Д биполярный транзистор (1 шт- 15 грн) 20 шт.  (продам)

Ціна: 15 грн.



Технические характеристики биполярного транзистора ГТ806Д
Транзисторы » Биполярные транзисторы КТ801-КТ9181, 2Т826-2Т9149, ГТ804-ГТ910, 1T



  • Рисунок 1 - Схема биполярного транзистора ГТ806Д
    ТранзисторB1-B2/Iк
    /АFт
    МГцCк/Uк
    пф/ВCэ/Uэ
    пф/ВRб*Cк
    псекtр
    нсUкэ/(Iк/Iб)
    В/(А/А)Uкб
    ВUкэ/R
    В/ОмUэб
    ВIкм/Iкн
    А/АIбм
    АPк/Pт
    Вт/ВтRпк
    C/ВтПерГТ806Д10-100/1010   0.6(15/2) 140/1.515/32/302PNP 
  • Область применения: для работы в импульсных схемах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения
Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора ГТ806ДОбозначение:ПараметрB1-B2/Iк /Астатический коэффициент передачи токаFт МГцпредельная частота коэффициента передачи токаCк/Uк пф/Вемкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряетсяCэ/Uэ пф/Вемкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряетсяRб*Cк псекпостоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеtр нс Uкэ/(Iк/Iб) В/(А/А)напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)Uкб Вмаксимально допустимое постоянное напряжение коллектор-базаUкэ/R В/Оммаксимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)Uэб Вмаксимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-базаIкм/Iкн А/Апредельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсеIбм Апредельно допустимый постоянный ток базыPк/Pт Вт/Втмаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).Rпк C/Вттепловое сопротивление перехода коллектор-корпус транзистораПер 
* Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.

Реклама

Оголошення із рубрики "Радиокомпоненты и комплектующие"переглянути все
Продам РК-75-4-22 , рк-75-2-22, БПВЛ-0.35,
Продам РК-75-4-22 60м ( бухты по 6-15м);РК-75--2-22(бухты по 6- 12м);БПВЛ- 0,35 (300м);
Продам разъёмы ШР и др.
ШР20П3ЭШ7-Н  1060шт   Вил.блочн      18-20грн ШР20П3ЭШ7-Н  590шт      Роз.кабельная  22грн
Постоянно покупаем РЭС78-008 или РЭС78-008-08.
Постоянно покупаем  РЭС 78 -008 или  РЭС 78
Продам РЭС-10 РС4 529.031-03
Продам РЭС-10 РС4 529.031-03   400шт   90г   7 грн 
Продам РП21-УХЛ4 -110В постоянка бу.
Продам  РП21-УХЛ4  -110В  постоянка  бу. снятые с нерабочег
Силовой IGBT модуль (FF200R12KS4)
6
Силовой IGBT модуль (FF200R12KS4)

Бренд: Infineon Technologies Страна производитель: Германия Состояние: Новое Тип диода: Диодный мостНазначение диода: ВыпрямительныйМаксимальный прямой ток: 200 А

Силовой IGBT модуль (FF300R12KS4)
8
Силовой IGBT модуль (FF300R12KS4)

Тип диода: Диодный мост Назначение диода: ВыпрямительныйМаксимальный прямой ток: 300 А